Силовой диод для солнечных энергосистем
Итак, различная силовая электроника, применяемая в рамках процедуры сбора энергии солнца, потребует вхождения в состав подобных систем защитного диода. Процесс хождения тока в накопители будет приводить к падению напряжения в диоде, что должно учитываться в качестве потери энергии. При использовании диода Шотки подобное понижение будет достигать порядка 0,28 В, в случае номинального уровня тока, а также будет возрастать по повышению тока. Естественно, в данном случае потребуется стремление к снижению энергетических потерь, чего можно будет добиться при использовании схемы с электронным переключателем, включающим в себя операционный усилитель и полевой транзистор.
Подобное положение компонентов позволит получить преимущества, в сравнении со схемой диода Шотки, ведь будет получаться более низкое напряжение, а потеря энергии не разойдется в виде тепла, что позволит применить маленький радиатор. В то же время, такие силовые блоки, когда потенциал неинвертирующего входа на усилителе в виде компаратора, станет выше потенциала инвертирующего входа, приведут к появлению рабочего напряжения на выходе. Затем начнется работа транзистора с зажиганием светодиода, другой диод прошунтирует входы, что позволит амплитуде входного напряжения не превышать половину порогового напряжения, в случае равенства показателей R3 R4.
Так, силовой блок в виде операционного усилителя приведет к высокому повышению слабого сигнала, небольшому смещению напряжения и быстрому переключению. MOFSET сможет переконвертироваться в микровольтовом диапазоне сток исток напряжения. При состоянии покоя, где сток-исток напряжение будет равняться 0 В, транзистор будет включен, как и включен светодиод.
Если падение напряжение сток-исток все же произойдет, он все равно будет несколько ниже напряжения системы, основанной на диоде Шотки в тех же условиях. Помимо этого, высокая точность позволяет применять ряд параллельно соединяемых транзисторов. Заменяя микросхему на структуру MAX478, возможен приход к системе более меньшего потребления тока. Что касается различий между данными микросхемами, оно заключается лишь в токопотреблении и диапазонах напряжения. Каждая из данных микросхем обладает выходом rail to rail, что даст возможность точного установления управляющего типа напряжения, даже в случае крайне низкого рабочего напряжения, что становится важно, ведь сопротивление у включаемого полевого транзистора не будет постоянным.
